技术编号:11656130
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体结构及其制作方法,特别是涉及一种具有埋设于基板中的互连电容的半导体结构及其制作方法。背景技术半导体积体电路工业历经了快速的成长,在成长期间,半导体装置的尺寸和形状也大幅缩减,并且,为了提升半导体装置的表现,通常会放置去耦电容(decouplingcapacitor,DECAP)以降低电源供应杂讯和电压波动,并维持电源和信号的完整性。一般来说,去耦电容常被用于多种积体电路中,像是互补式金属氧化物半导体(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。