技术编号:11657084
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子技术领域,更进一步涉及半导体集成电路技术领域中的一种氮化镓基增强耗尽型电平转换性能改进电路。本发明可用于实现氮化镓基微波射频集成电路的开关,控制射频信号的开启与关断。背景技术氮化镓材料具有高频率、大功率、耐高温等优良性能,因此被广泛应用于微波射频电路中。随着半导体技术的成熟,微波射频领域趋向于将数字逻辑单元及微波射频电路集成为单片微波集成电路,降低功耗的同时减小干扰。而氮化镓基微波射频电路多以工艺更成熟稳定的常规耗尽型器件实现,氮化镓基耗尽型器件基于材料特性,其阈值电压为负值。而常...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。