技术编号：11679411
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及低温多晶硅制作方法的技术领域，具体是涉及一种利用准分子激光退火制作低温多晶硅的系统及其承载装置。背景技术随着平板显示的发展，高分辨率，低能耗的面板需求不断被提出，非晶硅电子迁移率低，低温多晶硅因可在低温下制作，且拥有高的电子迁移率及可制作C-MOS电路被广泛研究用以达到面板高分辨率，低能耗的需求。目前制作低温多晶硅的方法包括固相结晶(SPC，SolidPhaseCrystallization)，金属诱导结晶(MIC，MetalInducedCrystallization)和准分子镭射退...
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