技术编号：11680885
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及数字电路技术领域，特别是涉及一种瞬态脉冲宽度展宽电路及方法。背景技术高能粒子入射半导体材料后，其将导致目标材料电离并在轨迹上淀积电荷；这将使得半导体器件或集成电路性能退化或功能失效，该现象统称为单粒子效应(singleeventeffect，SEE)。单粒子瞬态脉冲指粒子轨迹上产生的电荷被敏感节点收集，并导致电压和电流瞬时变化的现象。目前，单粒子瞬态脉冲已成为国内外关注焦点。在试验测量过程中，传统单粒子瞬态脉冲的检测方法是依赖于高精度测量仪器来捕捉复杂电路系统中瞬态脉冲的波形与宽度，但...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。