技术编号:11684420
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光伏材料领域,具体而言,涉及一种六氯乙硅烷的回收方法。背景技术六氯乙硅烷(Si2Cl6)是一种高效的脱氧剂,用作无定形硅薄膜、光化学纤维原料以及硅氧烷等的优良原料,在半导体、光电材料等领域有着广泛的应用前景和实际价值。与传统的二氯二氢硅、硅烷气沉积法制氮硅薄膜相比,六氯乙硅烷的气相沉积法的沉积温度低、沉积压力低、效率高,且得到薄膜的密度、绝缘性、抗腐蚀性、兼容性皆更优。六氯乙硅烷广泛存在于多晶硅系统副产物中,其含量高达10~40%,具有很高的回收价值。传统的多晶硅残液处理方法是利用石灰...
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