技术编号:11692060
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。离子植入系统和工艺相关申请的交叉引用本申请要求2015年10月14日提交的、“名称为IONIMPLANTATIONSYSTEMANDPROCESS(离子植入系统和工艺)序号为14/883,538的美国申请的优先权,该申请的全文因所有目的通过引用方式合并于此。技术领域本公开一般地涉及离子植入,更特别地涉及用于离子植入的系统和工艺。背景技术在半导体器件制作中,材料的物理和/或电性质可以通过称为离子植入的工艺来修改。离子植入可以利用离子植入系统来执行。在离子植入系统中,离子束可由离子源生成。在将离子束...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。