技术编号:11692182
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及一种半导体器件。背景技术作为提高半导体器件的密度的按比例缩小技术之一,已经提出了多栅晶体管,在该多栅晶体管中,鳍形或纳米线形的硅主体形成在基板上,然后栅极形成在硅主体的表面上。因为多栅晶体管使用三维沟道,所以这种多栅晶体管允许容易的按比例缩小。此外,可以增强电流控制能力而不增加多栅晶体管的栅长度。此外,可以有效地抑制短沟道效应(SCE),该短沟道效应是沟道区的电势受漏极电压影响的现象。发明内容本公开的一个技术目的是提供一种具有改善的操作特性的半导体器件。根据本公开的目的不限于以上阐述的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。