技术编号：11692227
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及形成金属线的方法及制造使用金属线的磁存储器件的方法。背景技术由于对具有提高的速度和/或减小的功耗的电子设备的增长的需求，半导体器件需要更快的运行速度和/或更低的工作电压。磁存储器件被认为满足这样的需求。例如，磁存储器件能提供诸如减小的延时和/或非易失性的技术优势。结果，磁存储器件作为下一代存储器件出现。磁存储器件包括磁性隧道结(MTJ)。磁性隧道结可以包括两磁层以及插置其间的隧道势垒层。磁性隧道结的电阻可以根据磁层的磁化方向改变。例如，当磁层的磁化方向为彼此反平行时磁性隧道结的电阻高于...
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