技术编号:11692410
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及半导体处理领域,更具体地涉及用于蚀刻和沉积工艺的计算机可寻址等离子体密度修改。背景技术在半导体制造中重要的许多类型的工艺涉及使用气体等离子体。例如,反应性离子蚀刻(RIE)操作和原子层沉积(ALD)操作会涉及使用高能等离子体相离子和自由基物质来激活它们的相关联的表面反应,该表面反应对于RIE的情况为表面蚀刻反应,而对于ALD的情况为表面沉积反应。然而,这些工艺并不总是在被处理的衬底的整个表面上以理想的均匀度进行。许多因素可能影响整个晶片的均匀性。对于基于等离子体的工艺(并且由于等...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。