技术编号：11697610
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。XIII族硒化物纳米粒子背景XIII族硒化物材料由于它们宽的带隙范围，是具有广泛的潜在用途的半导体，所述用途包括光伏和数据存储设备，非线性光学和光敏感器如p-n结光电二极管。所述硒化物以两种氧化态存在，即，+2MSe(M＝Ga，In)和+3M2Se3(M＝Al，Ga，In)，提供直接带隙(对于硒化铟为1.4-2.5eV：α-In2Se31.42eV，β-In2Se31.55eV，γ-In2Se32.00eV；对于硒化镓为1.8-2.6eV：α-Ga2Se32.2eV，β-Ga2Se32.3eV；...
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