技术编号：11707316
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子技术领域,具体涉及一种提高FLASH参数保存次数的实现方法。背景技术FLASH存储器(可编程只读存储器，以下简称FLASH)是Intel公司于1988年推出的一种新型半导体存储器，具有非挥发存储特性，简称闪存，该类只读存储器具有集成度高、读取速度快、单一供电、再编程次数多等显著优点，FLASH存储器作为非易失数据存储设备，被广泛地应用于嵌入式系统中。单片机片内的FLASH可以在线编程，也可以存储程序运行时的数据。由于FLASH在写入时，只能把其位由1变为0，每位写之前必须先变为1，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。