技术编号:11709031
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子技术领域,尤其是涉及一种限制翻转的动态逻辑电路及静态随机存取存储器。背景技术随着电子信息技术的飞速发展,人们对电子产品的速度提出了更高的要求,同时,速度也已经成为电路中最重要的指标之一,这对电路设计人员提出了更高的挑战,电路设计人员需要对部分现有的功能电路进行优化,使之具有更快的速度。SRAM(StaticRandomAccessMemory,静态随机存取存储器)是最常用的存储器之一,采用静态存储方式,以双稳态数据锁存器电路作为存储单元。SRAM的特点是读写速度快,无需配合内存刷新...
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