技术编号：11709236
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体工艺技术领域，涉及半导体沟槽工艺（trenchprocess），尤其涉及功率器件的沟槽工艺，具体来说涉及一种增大沟槽的底部和顶部曲率半径的工艺。背景技术高功率半导体器件中，包括各种MOS（金属-氧化物-半导体）栅控晶体管，特别是IGBT（绝缘栅双极晶体管），广泛采用了沟槽栅结构。和平面栅结构相比，沟槽栅结构的原胞密度更大，饱和压降更低。但是，沟槽栅结构有两个问题：首先，沟槽底部的电场集中，电场强度比较大，因此器件的HTRB（高温反偏）可靠性受到不利影响。其次，沟槽的顶部边缘非常不...
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