技术编号：11709257
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本揭示内容是有关于一种形成半导体结构的方法。背景技术半导体集成电路(IC)工业已经历了高速的成长。IC制造中的技术进步产生了好几代的IC，且每一代都比前一代制造出更小及更复杂的电路。目前，为了更高的元件密度以及更佳的电性性能，半导体工业已发展到纳米技术节点，且来自制造及设计的多项挑战已将半导体技术引导至三维设计，例如鳍状场效晶体管(finFETs)。典型的鳍状场效晶体管是制造一层在基板上延伸的薄“鳍片”，鳍状场效晶体管的通道形成在鳍片内。此外，形成栅极以横越鳍，因此建置一种三面栅极结构(tri-...
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