技术编号:11709434
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种紫外光电探测器及其制备方法,尤其是涉及一种PIN结构紫外光电探测器及其制备方法,属于半导体光电子器件领域。背景技术紫外光电探测器在军用和民用方面都具有重要的应用价值和发展前景,如:紫外告警与制导、碳氢化合物燃烧火焰的探测、生化基因的检测、紫外天文学的研究、短距离的通信以及皮肤病的治疗等。PIN结构紫外光电探测器具有体积小、重量轻、寿命长、抗震性好、工作电压低、耐高温、耐腐蚀、抗辐照、量子效率高和无需滤光片等优点,已成为光电探测领域的研究热点。氮化镓基半导体三元化合物AlxGa1-x...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。