技术编号：11719813
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种束源炉技术领域，特别是涉及一种高温束源炉。背景技术束源炉是一种蒸发镀膜装置是在高真空条件下，通过加热材料的方法，使坩埚中被蒸发物在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜，可用于镀半导体、金属膜，氧化物、纳米级单层及多层功能膜的连续沉积。随着真空镀膜技术的不断发展，对镀膜设备的工艺需求也不断提出更高的要求，尤其在超高温蒸发设备领域更显突出。在超高温状态下所用材料的选用尤为重要，要求在正常高温下炉内气氛清洁，不能给工件带来污染，使用稳定性，温控精度等。原高温炉多采用石墨及感应加热...
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