技术编号:11719830
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种可提高MOCVD反应腔内载盘温度均匀性的加热装置,属于金属有机物化学气相沉积反应领域。背景技术MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDeposition)设备,即金属有机物化学气相沉积设备,是一种集计算流体力学、热力传导、系统集成控制、化合物生长等各学科于一体的高科技、新技术高度集中的设备,是半导体产业中的关键性设备。在MOCVD设备中,反应腔温度的均匀性是生产高质量薄膜的关键性因素,均匀的反应腔温度直接影响着外延沉积的均匀性和生长界面的陡峭性,以GaN...
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