技术编号:11721410
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种包含π-共轭系导电性高分子的导电性高分子组合物、使用所述导电性高分子组合物的包覆品以及图案形成方法。背景技术在集成电路(IntegratedCircuit,IC)和大规模集成电路(LargeScaleIntegration,LSI)等半导体元件的制造工艺中,以往是利用光微影法来进行微细加工,其中所述光微影法使用光致抗蚀剂(photoresist)。所述方法是通过照射光来诱发薄膜的交联或分解反应,由此,使此薄膜的溶解性显著变化,并且将使用溶剂等进行的显影处理的结果所获得的抗蚀剂图案作...
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