技术编号:11722864
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及离子源溅射技术领域,更具体地,涉及一种利用率高的新型靶材系统及其使用方法。背景技术离子源溅射技术是使用离子源在真空腔室中轰击不同材料制成的靶材表面,使得靶材材料沉积到产品表面的一种技术,是近些年发展起来的制备高质量薄膜的一种非常重要的方法,它具有其它制膜技术无法比拟的优点,例如污染小,成膜条件精确可控。但是离子源的束流方向性强,轰击到的靶材表面积太小,一般靶材利用率只有10%左右,造成大量的浪费,增加生产成本。为了提高靶材的利用率,通常采用靶材摆动的方式,但是靶材摆动会影响材料沉积速率...
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