技术编号：11726989
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种GaN基肖特基二极管结构，属于半导体技术领域。背景技术目前绝大多数半导体器件都是采用硅（Si）材料制作，随着硅工艺的发展与进步，其器件性能在很多方面都逼近极限值。因此，要寻求更大的具有突破性的提高，只能从新型的半导体材料中寻找出路。半导体器件需要承受高电压、大电流和高温，这就要求其制造材料具有较宽的禁带，较高的临界雪崩击穿场强和较高的热导率。新型的氮化稼（GaN）基宽禁带半导体材料无疑成为制作高性能电力电子器件的优选材料之一。GaN是目前最受关注的一种宽禁带化合物半导体材料，它...
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