技术编号：11728120
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及中子检测设备领域，特别是涉及一种基于多层涂硼薄膜和多丝正比室的中子探测器。背景技术中子和X射线都是人类探索物质微观结构的有力工具。自1895年发现X射线后，人们就开始利用X射线的衍射、散射等特点研究物质的内部结构，并取得了很大的成就。中子及中子散射的应用使人们对物质微观结构的认识日新月异，和X射线主要与原子外围电子云发生相互作用不同，中子与电子云基本不发生作用，而主要与物质中的原子核发生相互作用。此外，中子不带电、具有磁矩、穿透性强、能分辨轻元素、同位素和近邻元素以及具有非破坏性等特性...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。