技术编号:11730777
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料制备领域,特别涉及一种氮化物纳米带的制备方法,旨在获得尺寸和结构可控的氮化物纳米带。背景技术随着科学技术的迅猛发展,集成电路工艺水平的创新,芯片的集成度不断提高,光电子器件特征尺寸的不断减小,尺寸的缩小给工艺带来了极大的挑战。由于量子隧穿效应,加工线宽不能无限制的减小,而且当材料尺寸达到纳米级时会产生一系列由小尺寸引起的问题,因此纳米科学技术被认为是21世纪最具有发展前景的科学技术,它已推动材料、能源、信息、环境、生医学、农业、国防等各个领域的巨大变革。氮化铝、氮化镓为直接带...
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