技术编号:11730785
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种互连结构、所述互连结构的形成方法和一种集成电路。背景技术随着半导体技术的发展,超大规模集成电路的芯片集成度已经高达几亿、几十亿个器件的规模,两层以上的多层金属互连技术得到广泛使用。最初的金属互连是由铝金属制成的,但随着集成电路芯片中器件特征尺寸的不断减小,金属互连线中的电路密度不断增加,要求的响应时间不断减小,铝互连线已经不能满足要求。在工艺尺寸小于130纳米以后,铜互连技术已经取代了铝互连技术。与铝相比,金属铜的电阻率更低,可以降低互连线的电阻电容(RC)...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。