技术编号：11730788
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体制备工艺领域，特别是涉及一种提高多晶硅平坦化均匀性的方法。背景技术随着半导体工艺的发展，半导体器件的关键尺寸逐步减小，已增加单位面积内器件的密度，进而降低生产成本。然而，当半导体器件的关键尺寸减小到一定的程度，有源区的关键尺寸、多晶硅的关键尺寸、连接通孔的关键尺寸、以及连接通孔与多晶硅的距离很难使用常规工艺进一步缩小，成为制约半导体器件进一步缩小的关键因素。现有工艺中，一般通过增加侧墙刻蚀工艺以打开栅极多晶硅层两侧的侧墙，而后沉积覆盖多晶硅层，以实现栅极与栅极、栅极与源/漏极的局...
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