技术编号：11730863
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及集成电路器件，更具体地，涉及具有高耦合比率的闪存器件。背景技术近些年，随着便携式电子器件变得越来越流行，闪存器件的功耗已经成为一个重要的问题。常规闪存器件具有带有许多存储单位(即，存储单元)的存储阵列。存储单位的每个形成为包括浮动栅极和控制栅极的场效应晶体管。浮动栅极配置为固定电荷，并且在半导体衬底的有源区域上方的氧化物层上制造。浮动栅极通过氧化物层与半导体衬底中的源极/漏极区域分离。可以通过将电子从衬底通过氧化物层注入至浮动栅极来对每个存储单元编程或充电。在擦除操作期间，可以...
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