技术编号:11730920
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种III-VCMOS型赝配异质结场效应晶体管技术领域本发明属于半导体器件制造技术领域,具体涉及一种III-VCMOS型赝配异质结场效应晶体管。背景技术根据摩尔定律,“集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍”。大抵而言,若在相同面积的晶圆下生产同样规格的IC,随着制程技术的进步,每隔一年半,IC产出量就可增加一倍,换算为成本,即每隔一年半成本可降低五成,平均每年成本可降低三成多。就摩尔定律延伸,IC技术每隔一年半推进一个世代。国际上半导体厂商基本都遵循...
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