技术编号:11730945
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造或处理方法技术领域,尤其涉及一种硅外延片及其制备方法。背景技术PIN结构二极管在正向偏置电压下,导通阻抗很小,近似短路;反向偏压下,阻抗很高,近似开路;并且它具有功率容量大、损耗小、速度快等特点,因此在功率二极管中广泛应用。例如:开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。随着电子技术、集成电路的不断发展,对功率半导体器件的稳定性和可靠性提出更高的要求。对于快恢复二极管来说,它在反向恢复过程中产生电流的瞬变,强烈的电流...
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