技术编号：11730951
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电子的技术领域，更具体地，涉及氮化硅钝化膜，尤其涉及一种III族氮化物光电探测器钝化膜及其制备方法。背景技术近年来，III族氮化物材料由于具有禁带宽度大，电子漂移饱和速度高，导热性能好，介电常数小，耐高温，耐腐蚀，抗辐射等特性，一直备受关注。其中，在紫外光探测领域，传统的光电倍增管或者硅基光电探测器在紫外探测时需要外加滤波片，而AlxGa1-xN（x=0~1）基III族氮化物由于宽禁带的特性具有本征滤波的效果，被看作是最具潜力的紫外探测半导体材料。但是，由于紫外信号在大气环境传播中衰...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。