技术编号:11733135
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及异或电路,特别是一种低压源耦异或逻辑电路结构。背景技术传统源耦异或逻辑的电路结构包括:两对NMOS输入的差分对、一对叠层的PMOS输入的差分对、负载和偏置电流源。它采用的叠层电路结构,要求电源电压在一定值时才能保证电路正常工作。但随着现代工艺技术的提高,工艺线宽越来越小,导致了所需电源电压越来越小,传统的异或逻辑电路结构已经无法满足更低电压工作要求。发明内容本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种低压源耦异或逻辑电路结构,采用折叠的方法,减小传统源耦异或电路在垂直方向上的叠加层数,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。