技术编号：11734621
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及LED芯片的技术领域，特别是一种LED芯片的Al2O3/SiON钝化层结构及其生长方法。背景技术发光二极管（LED）在政府的大力支持下俨然成为了高新能源开发领域的主流产品，其具有体积小、寿命长（5万个小时）、光效高、节能的诸多优点，现已广泛应用到日常生活中。LED芯片表面对外界环境非常敏感，会吸附其他杂质从而降低器件性能，因此往往需要在晶片表面沉积一层绝缘材料来隔绝外界环境与晶片表面的接触，起到钝化作用。除此之外该钝化层还需起到增透膜的作用，提高芯片出光效率，增加芯片亮度。目前市场上主...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。