技术编号:11761960
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及时序控制电路领域,具体涉及一种铁电随机存取存储器的电源时序控制电路。背景技术铁电随机存取存储器(FerroelectricRAM),缩写为FeRAM或FRAM,类似于SDRAM,是一种随机存取存储器技术。但因为它使用了一层有铁电性的材料,取代原有的介电质,使得它也拥有非挥发性内存的功能。铁电随机存取存储器具有不挥发性和抗辐射性,功耗低,写操作速度快,可比EEPROM高两个数量级,写操作次数高,可达100亿次,比EEPROM高数个数量级。FeRAM被认为是未来存储技术的主流,根据预测...
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