技术编号:11762287
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体领域,具体涉及一种集成电流传感器的SiC晶体管器件。背景技术SiCMOSFET、JFET、BJT、IGBT等晶体管器件经过多年的研究,已经有一些厂商率先推出了商业化产品,并且已经在工业上进行了广泛的应用。在很多的应用情况,为了更好的保护系统甚至保护器件,以及使器件在系统中更加可靠地工作,往往需要实时监控芯片的结温和电流。在通常的情况下,系统中监控器件的电流往往通过霍尔传感器的方法,通过感应电流或磁场来判断电流的大小。这种方法需要增加额外的系统。一种更好的方法是直接在芯片上引出...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。