技术编号:11762321
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体器件及制造工艺,具体是一种横向高压双极结型晶体管。背景技术二十世纪四十年代中期,由于导航,通讯、武器装备等电子器件系统日益复杂,导致电子电路的集成化和微型化需求日益迫切,1959年美国仙童半导体公司终于汇聚了前任的技术成果,采用平面双极工艺集成技术制造出了第一块实用硅集成电路,为集成电路的应用和大力发展开创了先河,双极型集成电路的工艺是所有集成电路工艺中最先实用新型,也是应用范围最为广泛的,随着集成电路技术的不断进步,尽管受到CMOS工艺的巨大挑战,双极型工艺仍然凭借其高速、...
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