一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件的制作方法与工艺技术资料下载

技术编号:11762332

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一种集成肖特基二极管的SiCMOSFET器件技术领域本实用新型属于半导体领域,具体涉及一种集成肖特基二极管的SiCMOSFET器件。背景技术SiCMOSFET经过行业内多年的研究,已经有一些厂商率先推出了商业化产品。在很多的应用情况,可控型器件如晶体管需要反并联一个续流二极管一起工作,如目前常用的硅IGBT模块,都反并联了快恢复二极管作为续流二极管。如果在一个器件中集成了续流二极管,那么不仅提高了芯片的集成度,同时也有效的降低了芯片成本。现代MOSFET器件结构为了抑制内部寄生BJT的开启,往往...
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