技术编号:11768075
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种气相沉积镀膜技术领域,尤其涉及一种气相沉积设备。背景技术等离子体增强化学气相沉积法PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)借助于气体辉光放电产生的低温等离子体,增强反应位置的化学活性,促进了气体间的化学反应,从而在低温下也能在基材上形成固体膜。PECVD在半导体和平板显示行业有大量的应用,尤其是在LTPS和OLED平板显示行业,PECVD设备是不可或缺的关键设备,用于制备SiNx,SiOx和ASi(Amorphoussilicon,即...
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