技术编号：11772644
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体装置相关申请的交叉引用通过引用将2016年3月31日提交的日本专利申请No.2016-070662的公开的全部内容，包括说明书、附图和摘要，并入本文中。技术领域本发明涉及半导体装置，例如，基于转换速率(slewrate)控制来控制要供应到功率器件的栅极的控制信号的半导体装置。背景技术操作例如车辆的电机需要大的电力以得到大的输出功率。因此，驱动这种高功率电机的逆变器电路包括功率元件，诸如，耐受高电压和大电流的IGBT(绝缘栅型双极晶体管)。该功率元件的栅极具有有着大电容的寄生电容。因此，为了...
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