技术编号：11773503
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电源管理技术领域，具体涉及一种基于亚阈值MOSFET的低功耗低温漂基准产生电路的设计。背景技术基准电压源是模拟集成电路和数模混合电路中极为重要的组成部分，广泛应用于功率转换器、功率放大器、数模转换器等电路中。基准电压源的作用是为电路提供一个与温度和电源电压无关的电压基准。随着电源电压的持续下降，设计出低压低功耗、低温度系数、高电源抑制比的基准源变得十分关键。移动电子设备对功耗的要求越来越高，使得基准电压源的电源电压要能够降至1V左右，功耗在微瓦量级。低温度系数、低压低功耗已经成为了基准...
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