技术编号：11776590
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种基板处理方法和基板处理装置，特别涉及一种去除氧化膜的基板处理方法和基板处理装置。背景技术在使用硅晶圆(以下称作“晶圆”)的电子器件的制造方法中，例如重复执行以下工序等：在晶圆的表面形成导电膜、绝缘膜的成膜工序；在所形成的导电膜、绝缘膜上形成规定的图案的光致抗蚀剂层的光刻工序；将光致抗蚀剂层用作掩模，利用从处理气体所生成的等离子体来将导电膜成形为栅极电极、或者在绝缘膜上形成布线槽、接触孔的蚀刻工序。作为一例，在某个电子器件的制造方法中，有时在形成于晶圆的表面的多晶硅膜上以规定的图案形...
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