技术编号:11776592
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光电子技术领域,尤其是指一种柔性结构支撑衬底的制备方法。背景技术柔性结构的器件自身重量轻,厚度薄,具有较高的可弯曲度,运输及携带均十分便利。对于III-V族化合物半导体器件来说,制成柔性结构的重要前提就是去除衬底。在信号传输、光通讯、电子信号处理占据重要地位的光电子器件,如半导体光探测器、半导体激光器、太阳能电池、异质结双极性晶体管、高电子迁移率晶体管等,很大一部分的成本也来自于生长所需的衬底,特别是针对磷化铟基,砷化镓基的器件。如若衬底能够回收利用,则成本将会很大程度的降低。更...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。