技术编号:11776599
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种形成半导体图形的方法,特别涉及在半导体工件上形成具有大小一致的最小特征尺寸的图形化特征的方法。背景技术通过传统的形成半导体图形的方法所制造的半导体工件,其在半导体工件上所形成的图形化特征的最小特征尺寸(minimumfeaturesizes,CD)通常会发散成大小不一的尺寸。然而,图形化特征的最小特征尺寸的一致性会影响半导体工件的电性性质,例如是电阻或阻抗等。举例来说,具有图形化特征的半导体工件,若图形化特征的最小特征尺寸发散成大小不一的尺寸时,则难以对半导体工件执行阻抗匹配消除背...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。