技术编号:11776600
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种阶梯结构的制造方法。背景技术目前越来越多的产品要求在纵向同一个介质层面能够形成多阶梯结构,但由于线宽越来越小,阶梯形貌要求越来越高,成本压力越来越大,按传统的做法形成的阶梯结构已经不能够满足需求。请参考图1-图3,示出了一种阶梯结构的形成方法。包括如下步骤:如图1所示,先对衬底10进行第一次光刻刻蚀,形成台阶11和台阶12。并且可见台阶11、12皆包括台阶面和侧壁。如图2所示,接着进行第二次光刻刻蚀,具体是刻蚀台阶12形成台阶13,同时刻蚀台阶11,形成台...
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