技术编号:11776602
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造领域,特别是涉及一种利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀SiC的方法。背景技术碳化硅(SiC)材料作为第三代宽带隙半导体材料,具有高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速率等特点,在高温、高频、大功率、抗辐射等领域,尤其是高温或强腐蚀性等恶劣环境中具有巨大的应用潜力。对于SiC栅槽结构器件如UMOSFET、TrenchGateIGBT以及SiCMEMS器件三维结构器件,刻蚀形貌、刻蚀损伤以及刻蚀表面残留物等均对SiC器件的研制及性能有很大的影响。刻蚀碳化硅的主要困难在于碳化...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。