技术编号:11776605
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种变比例钛铝共晶的GaNHEMT欧姆接触工艺方法技术领域本发明涉及化合物半导体加工制造领域,特别是一种变比例钛铝共晶的GaNHEMT欧姆接触工艺方法。背景技术GaNHEMT是第三代化合物半导体的代表器件,是电力电子和微波功率应用领域的核心器件。在以上两个主要应用领域,GaNHEMT器件的欧姆接触质量尤其重要,GaNHEMT器件为三端器件,源、漏极分别作为信号的接地、输出端,其欧姆接触的性能好坏,直接影响器件的饱和输出电流、导通电阻、击穿电压和输出功率等关键指标,同时影响器件的高频性能和高温可靠...
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