技术编号:11776609
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及半导体领域,特别涉及一种不规则硅片的腐蚀方法。背景技术在半导体产品的研发阶段,当需要对产品进行验证时,需要对整个晶圆进行切割,得到多个不规则硅片,一个不规则硅片对应一个产品,再对每个不规则硅片进行腐蚀,通过不同的腐蚀条件和工艺参数的调整选择出产品对应的最优方案。相关技术中,由于现有的机台都是针对整体晶圆的加工,无法对晶圆切割得到的不规则硅片制作用于阻挡腐蚀溶液的掩蔽层,在腐蚀不规则硅片的背面时,不规则硅片裸露的剖面和不规则硅片的正面图形会受到损伤,因此,在实际的产品验证环节是以整...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。