技术编号：11776692
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储单元的制造方法、存储单元及存储器，特别是涉及一种具有4F2单元面积的存储单元的制造方法、存储单元及存储器。背景技术动态随机存储器(英文：DynamicRandomAccessMemory，简称：DRAM)是一种广泛应用于计算机系统的半导体存储器。DRAM由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容；晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏电极与电容电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启和关闭，从而通过位线能够读取存储在电容中的数据信息，或者将数据信息写入到电...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。