技术编号:11776715
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。保形低温密闭性电介质扩散屏障本申请为分案申请,其原申请是于2014年8月19日(国际申请日为2011年12月20日)向中国专利局提交的专利申请,申请号为201180076399.6,发明名称为“保形低温密闭性电介质扩散屏障”。技术领域本发明的实施例总体上涉及半导体器件,更具体地,涉及保形电介质扩散屏障。背景技术诸如包含金属氧化物半导体晶体管(MOSFET)的集成电路等之类的微电子器件通过减小相邻特征之间的节距并且结合三维晶体管结构(例如,finFET(鳍式场效应晶体管))而不断缩小。随着晶体管的...
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