技术编号：11776789
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件，特别是半导体功率器件。背景技术绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT）是一种应用广泛的功率器件。超结是n柱区/p柱区交替排列的耐压结构，它可以使n柱区与p柱区在较高的掺杂浓度情形下仍可获得较高的击穿电压。当超结应用到IGBT中时（即超结IGBT），在关断过程中，n柱区/p柱区形成的pn结可以快速耗尽，因而超结IGBT可获得比传统IGBT更快的关断速度（或更低的关断功耗）。然而，由于n柱区/p柱区形成的pn结的面积很大，从p...
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