技术编号:11776791
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺领域,尤其涉及一种氮化镓半导体器件及其制备方法。背景技术氮化镓具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射性能等优点,从而可以采用氮化镓制作半导体材料,而得到氮化镓半导体器件。现有技术中,氮化镓半导体器件的制备方法为:在氮化镓外延层的表面上形成氮化硅层,在氮化硅层上刻蚀出源极接触孔和漏极接触孔,源极接触孔和漏极接触孔内沉积金属,从而形成源极和漏极;再刻蚀氮化硅层以及氮化镓外延层中的氮化铝镓层,形成一个凹槽,在凹槽中沉积金属层,从而形成栅极;然后沉积...
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