技术编号:11776795
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法,特别是涉及一种超级结的沟槽填充方法。背景技术超级结为由形成于半导体晶圆(wafer)中的交替排列的P型薄层和N型薄层组成,现有超级结的制造方法通常会采用到沟槽填充工艺方法,沟槽填充方法需要先在半导体晶圆如硅晶圆表面的外延层如N型掺杂外延层上刻蚀一定深度和宽度的沟槽,然后利用外延填充(EPIFilling)的方式在刻出的沟槽上填充P型掺杂的硅外延,并且要求填充区域具有完好的晶体结构,以便后续流程制作高性能的器件。随着工艺的发展,在超级结项目中,三代工艺在二...
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