技术编号:11776800
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种具有自保护结构的功率半导体模块及其自保护方法。背景技术当前,随着技术的发展焊接式封装结构的功率半导体模块正日益广泛地应用于各类电气系统。功率半导体模块的内部封装有功率半导体芯片,由于功率半导体芯片通常工作在高压、大电流环境下,因此其发热问题的解决与功率半导体模块工作的稳定性有着直接的关系。在现有技术中,为了避免功率半导体模块发生过热而失效的现象,通常通过在焊接式封装功率半导体模块的内部设置温度传感器来实现模块内部芯片工作温度的检测。这种方法需要在控制电路中...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。